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文献
J-GLOBAL ID：201902227529900423
整理番号：19A1415086
フッ素化Si不動態化層を用いたZRON/TaON多層複合ゲート誘電体によるGe MOSキャパシタの界面と電気特性の改善【JST・京大機械翻訳】
Improved interfacial and electrical properties of Ge MOS capacitor with ZrON/TaON multilayer composite gate dielectric by using fluorinated Si passivation layer
Huang Yong
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Xu Jing-Ping
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Liu Lu
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Cheng Zhi-Xiang
(School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
,
Lai Pui-To
(Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Pokfulam, Hong Kong)
,
Tang Wing-Man
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 5 ページ： 053501-053501-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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