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文献
J-GLOBAL ID：201902227651676258
整理番号：19A1461661
エッチングと組み合わせた二重ビームTOF-SIMSによるSiO_2/SiC界面のプロファイリングのための深さ分解能の最適化【JST・京大機械翻訳】
Optimization of the depth resolution for profiling SiO2/SiC interfaces by dual-beam TOF-SIMS combined with etching
Sameshima Junichiro
(Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan)
,
Takenaka Aya
(Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan)
,
Muraji Yuichi
(Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan)
,
Ogawa Shingo
(Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan)
,
Yoshikawa Masanobu
(Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Shiga, Japan)
,
Suganuma Katsuaki
(Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki, Osaka, Japan)
資料名：
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻： 51 号： 7 ページ： 743-753 発行年： 2019年
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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