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文献
J-GLOBAL ID：201902227694144895
整理番号：19A0180685
多重共鳴シリコンに基づくフォトニック構造上に集積した単層WSe_2からの指向性放出の増強【JST・京大機械翻訳】
Enhanced Directional Emission from Monolayer WSe2 Integrated onto a Multiresonant Silicon-Based Photonic Structure
Chen Haitao
(Nonlinear Physics Centre, Australian National University)
,
Nanz Stefan
(Institute of Theoretical Solid State Physics, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany)
,
Abass Aimi
(Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany)
,
Yan Jingshi
(Nonlinear Physics Centre, Australian National University)
,
Gao Tingge
(Nonlinear Physics Centre, Australian National University)
,
Choi Duk-Yong
(Laser Physics Centre, Australian National University)
,
Kivshar Yuri S.
(Nonlinear Physics Centre, Australian National University)
,
Rockstuhl Carsten
(Institute of Theoretical Solid State Physics, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany)
,
Rockstuhl Carsten
(Institute of Nanotechnology, Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany)
,
Neshev Dragomir N.
(Nonlinear Physics Centre, Australian National University)
資料名：
ACS Photonics
(ACS Photonics)
巻： 4 号： 12 ページ： 3031-3038 発行年： 2017年
JST資料番号： W5045A ISSN： 2330-4022 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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