文献
J-GLOBAL ID:201902227990791518
整理番号:19A2448870
P-1.11:自己整合トップゲートa-IGZO薄膜トランジスタにおける有効移動度とソース/ドレイン抵抗の関係【JST・京大機械翻訳】
P-1.11: Relationship between Effective Mobility and Source/Drain Resistance in Self-Aligned Top-Gate a-IGZO Thin Film Transistors
著者 (4件):
Peng Hao
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China)
,
Zhang Shengdong
(School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China)
,
Zhang Shengdong
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
Zhang Shengdong
(Active matrix display Beijing engineering research center)
資料名:
Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display)
(Digest of Technical Papers. SID International Symposium (Society for Information Display))
巻:
50 Suppl S1
ページ:
666-668
発行年:
2019年
JST資料番号:
E0907A
ISSN:
0097-966X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)