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文献
J-GLOBAL ID：201902228152403996
整理番号：19A2209588
ナノスケールUTBB FD-SOI MOSFETのランダム電信雑音における間欠性誘起臨界性【JST・京大機械翻訳】
Intermittency-induced criticality in the random telegraph noise of nanoscale UTBB FD-SOI MOSFETs
Contoyiannis Y.
(Department of Electrical & Electronics Engineering, University of West Attica, Athens, Greece)
,
Potirakis S.M.
(Department of Electrical & Electronics Engineering, University of West Attica, Athens, Greece)
,
Stavrinides S.G.
(School of Science & Technology, International Hellenic University, Thessaloniki, Greece)
,
Hanias M.P.
(Physics Department, International Hellenic University, Thessaloniki, Greece)
,
Tassis D.
(Physics Department, Aristotle University of Thessaloniki, Thessaloniki, Greece)
,
Theodorou C.G.
(Institut de Microelectronique Electromagnetisme et Photonique (IMEP)-LAHC Minatec, Grenoble, France)
資料名：
Microelectronic Engineering
(Microelectronic Engineering)
巻： 216 ページ： Null 発行年： 2019年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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