文献
J-GLOBAL ID:201902228936937846
整理番号:19A1555651
GaAsベース高出力ダイオードレーザにおける熱パワー飽和に及ぼすキャリア非ピン止め効果の影響【JST・京大機械翻訳】
Impact of Carrier Nonpinning Effect on Thermal Power Saturation in GaAs-Based High Power Diode Lasers
著者 (6件):
Kaul Thorben
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany)
,
Erbert Gotz
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany)
,
Klehr Andreas
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany)
,
Maasdorf Andre
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany)
,
Martin Dominik
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany)
,
Crump Paul
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Berlin, Germany)
資料名:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics
(IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻:
25
号:
6
ページ:
ROMBUNNO.1501910.1-10
発行年:
2019年
JST資料番号:
W0734A
ISSN:
1077-260X
CODEN:
IJSQEN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)