文献
J-GLOBAL ID:201902229256715774
整理番号:19A1607222
物理ベースデバイスモデルによるアンクランプ誘導スイッチング中のパワーMOSFETのフルチップシミュレーション解析【JST・京大機械翻訳】
Full-chip simulation analysis of power MOSFET’s during unclamped inductive switching with physics-base device models
著者 (3件):
Kachi Tsuyoshi
(Power Device Technology Dept., Renesas Electronics Corp., Saijo, Ehime, Japan)
,
Eikyu Katsumi
(Advanced Device Technology Dept., Renesas Electronics Corp., Hitachinaka, Ibaraki, Japan)
,
Saito Takashi
(Design Platform Technology Dept. 2, Renesas Electronics Corp., Takasaki, Gunma, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
ISPSD
ページ:
371-374
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)