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文献
J-GLOBAL ID：201902229381858491
整理番号：19A2933029
さまざまな配向のSrTiO3基板上に成長したエピタキシャルBi2SiO5薄膜の強誘電特性
Ferroelectric properties of epitaxial Bi2SiO5 thin films grown on SrTiO3 substrates with various orientations
KODERA Masanori
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
SHIMIZU Takao
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
FUNAKUBO Hiroshi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： SL ページ： SLLB04.1-SLLB04.6 発行年： 2019年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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