文献
J-GLOBAL ID:201902229816170542
整理番号:19A0372370
レーザ発振マイクロキャビティに応用したSi上のIII-Vのモノリシック集積:STEMとEDXからの洞察【JST・京大機械翻訳】
Monolithic Integration of III-V on Si Applied to Lasing Micro-Cavities: Insights from STEM and EDX
著者 (6件):
Sousa M.
(IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland)
,
Mauthe S.
(IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland)
,
Mayer B.
(MPI Munich, Germany and ABB Corporate Research, Baden, Switzerland)
,
Wirths S
(MPI Munich, Germany and ABB Corporate Research, Baden, Switzerland)
,
Schmid H.
(IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland)
,
Moselund K.E.
(IBM Research Zurich, Rueschlikon, Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
NANO
ページ:
1-4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)