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文献
J-GLOBAL ID：201902229988286022
整理番号：19A1887776
蓄積電荷測定に基づく金属/有機半導体界面における電荷注入障壁の評価:オフセットBias電圧の影響【JST・京大機械翻訳】
Estimation of the Charge Injection Barrier at a Metal/Organic Semiconductor Interface Based on Accumulated Charge Measurement: The Effect of Offset Bias Voltages
Tajima Hiroyuki
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
,
Yoshida Kesuke
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
,
Sato Seiichi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
,
Kadoya Tomofumi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
,
Yamada Jun-ichi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
資料名：
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻： 121 号： 27 ページ： 14725-14730 発行年： 2017年
JST資料番号： W1877A ISSN： 1932-7447 CODEN： JPCCCK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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