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J-GLOBAL ID:201902229988286022   整理番号:19A1887776

蓄積電荷測定に基づく金属/有機半導体界面における電荷注入障壁の評価:オフセットBias電圧の影響【JST・京大機械翻訳】

Estimation of the Charge Injection Barrier at a Metal/Organic Semiconductor Interface Based on Accumulated Charge Measurement: The Effect of Offset Bias Voltages
著者 (5件):
Tajima Hiroyuki
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
Yoshida Kesuke
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
Sato Seiichi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
Kadoya Tomofumi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)
Yamada Jun-ichi
(Graduate School of Material Science, University of Hyogo, Hyogo, Japan)

資料名:
Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)

巻: 121  号: 27  ページ: 14725-14730  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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