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文献
J-GLOBAL ID：201902230095322956
整理番号：19A1414070
基板側壁粗化によるAlGaN系紫外発光ダイオードの光抽出増強【JST・京大機械翻訳】
Light extraction enhancement of AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes by substrate sidewall roughening
Guo Yanan
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Zhang Yun
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Yan Jianchang
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Xie Haizhong
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Liu Lei
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Chen Xiang
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Hou Mengjun
(State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Qin Zhixin
(State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China)
,
Wang Junxi
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
,
Li Jinmin
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 1 ページ： 011102-011102-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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