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J-GLOBAL ID：201902230613093070 整理番号：19A2331894

AlN/Si(110)基板上のSiC膜堆積に及ぼす異なる温度で成長したSiCシード層の影響

Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of an AlN/Si(110) substrate

著者 (2件)：

NARA Yuki

(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)

NAKAZAWA Hideki

(Hirosaki Univ., Aomori, JPN)

資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

巻： 58 号： SI ページ： SIIA18.1-SIIA18.6 発行年： 2019年08月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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