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文献
J-GLOBAL ID：201902230840024232
整理番号：19A1414514
拡張したSWIR InAs/II型超格子フォトダイオードにおける電子に対する少数キャリア拡散長【JST・京大機械翻訳】
Minority carrier diffusion length for electrons in an extended SWIR InAs/AlSb type-II superlattice photodiode
Cohen-Elias D.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
,
Snapi N.
(SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel)
,
Klin O.
(SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel)
,
Weiss E.
(SCD-SemiConductor Devices, P.O. Box 2250, Haifa 31021, Israel)
,
Shusterman S.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
,
Meir T.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
,
Katz M.
(Solid State Physics Department, Applied Physics Division, Soreq NRC, Yavne 81800, Israel)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 20 ページ： 201106-201106-4 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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