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文献
J-GLOBAL ID：201902231626957871
整理番号：19A1414989
集積E/DモードInAlN/GaN MOS HEMTにおけるアニーリング,温度およびバイアス誘起閾値電圧不安定性【JST・京大機械翻訳】
Annealing, temperature, and bias-induced threshold voltage instabilities in integrated E/D-mode InAlN/GaN MOS HEMTs
Blaho M.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Gregusova D.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Hascik S.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Tapajna M.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Frohlich K.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Satka A.
(Institute of Electronics and Photonics of the Slovak Technical University of Technology, Ilkovicova 3, 812 19 Bratislava, Slovakia)
,
Kuzmik J.
(Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 111 号： 3 ページ： 033506-033506-4 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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