文献
J-GLOBAL ID:201902232179834037
整理番号:19A0488896
Ammoniaを組み込んだテトラメチルシランベースPECVDにより調製した酸化ケイ素膜のガス障壁特性に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】
Impact on the Gas Barrier Property of Silicon Oxide Films Prepared by Tetramethylsilane-Based PECVD Incorporating with Ammonia
著者 (6件):
Liu Hua-Wen
(Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan)
,
Chen Tai-Hong
(Industrial Technology Research Institute, Liujia, Tainan 734, Taiwan)
,
Chang Chun-Hao
(Industrial Technology Research Institute, Liujia, Tainan 734, Taiwan)
,
Lu Shao-Kai
(Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan)
,
Lin Yi-Cyuan
(Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan)
,
Liu Day-Shan
(Institute of Electro-Optical and Materials Science, National Formosa University, Yunlin 63201, Taiwan)
資料名:
Applied Sciences (Web)
(Applied Sciences (Web))
巻:
7
号:
1
ページ:
56
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7135A
ISSN:
2076-3417
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)