文献
J-GLOBAL ID:201902232866914060
整理番号:19A1415671
ナノスケールSi MOSFETにおける低電界電子移動度に対する表面粗さ散乱の影響【JST・京大機械翻訳】
The impact of surface-roughness scattering on the low-field electron mobility in nano-scale Si MOSFETs
著者 (2件):
Kannan Gokula
(School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-5706, USA)
,
Vasileska Dragica
(School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-5706, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
11
ページ:
114303-114303-10
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)