文献
J-GLOBAL ID:201902233095612050
整理番号:19A1416530
すれすれ入射小角X線散乱と電子顕微鏡を用いた液滴により成長させたInGaNナノドットの分析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of InGaN nanodots grown by droplet heteroepitaxy using grazing incidence small-angle X-ray scattering and electron microscopy
著者 (4件):
Woodward J. M.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
Nikiforov A. Yu.
(Photonics Center, Boston University, Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
Ludwig K. F. Jr.
(Physics Department, Boston University, Boston, Massachusetts 02215, USA)
,
Moustakas T. D.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Boston University, Boston, Massachusetts 02215, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
122
号:
6
ページ:
065305-065305-16
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)