文献
J-GLOBAL ID:201902233173782308
整理番号:19A2089094
HfO_2ベース強誘電体電界効果トランジスタのメモリ特性に及ぼす電離放射線効果【JST・京大機械翻訳】
Ionizing Radiation Effect on Memory Characteristics for HfO2-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors
著者 (3件):
Chen Kuen-Yi
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Tsai Yi-Shan
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Wu Yung-Hsien
(Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
40
号:
9
ページ:
1370-1373
発行年:
2019年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)