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文献
J-GLOBAL ID：201902233236389061
整理番号：19A1249364
1H,1H,2H,2H-ペルフルオロデシルトリエトキシシラン障壁層を用いた電気二重層トランジスタの安定性の改善
Improvement of the stability of an electric double-layer transistor using a 1H,1H,2H,2H-perfluorodecyltriethoxysilane barrier layer
LIU Yang
(Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
FUJII Mami N
(Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
ISHIDA Shoma
(Nara Coll., Nara, JPN)
,
ISHIKAWA Yasuaki
(Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
MIWA Kazumoto
(Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Kanagawa, JPN)
,
ONO Shimpei
(Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Kanagawa, JPN)
,
BERMUNDO Juan Paolo Soria
(Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
FUJITA Naoyuki
(Nara Coll., Nara, JPN)
,
URAOKA Yukiharu
(Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： 4 ページ： 040907.1-040907.4 発行年： 2019年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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