文献
J-GLOBAL ID:201902233523836917
整理番号:19A2331948
導波路デバイスの不動態化のためのゾルゲルSiO2被覆の表面改善調査
Surface improvement investigation of sol-gel SiO2 cladding for waveguide device passivation
著者 (5件):
OGAWA Satoshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
IDRIS Ahmad Syahrin
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
HAN Yu
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
JIANG Haisong
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
HAMAMOTO Kiichi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SJ
ページ:
SJJB04.1-SJJB04.5
発行年:
2019年08月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)