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J-GLOBAL ID:201902234484722971   整理番号:19A0180185

再生ポリシランからの多結晶Si薄膜トランジスタの溶液ベース作製【JST・京大機械翻訳】

Solution-Based Fabrication of Polycrystalline Si Thin-Film Transistors from Recycled Polysilanes
著者 (3件):
Sberna Paolo M.
(Quantum Engineering Department, Delft University of Technology, The Netherlands)
Trifunovic Miki
(QuTech, Delft University of Technology, The Netherlands)
Ishihara Ryoichi
(QuTech and Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, The Netherlands)

資料名:
ACS Sustainable Chemistry & Engineering  (ACS Sustainable Chemistry & Engineering)

巻:号:ページ: 5642-5645  発行年: 2017年 
JST資料番号: W5047A  ISSN: 2168-0485  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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