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文献
J-GLOBAL ID：201902234495186281
整理番号：19A0634207
MOVPEにより成長させたSi基板上に厚い単結晶CdTe層を用いて作製した微細ピクセルX線イメージング検出器アレイの特性評価【JST・京大機械翻訳】
Characterization of Fine-Pixel X-Ray Imaging Detector Array Fabricated by Using Thick Single-Crystal CdTe Layers on Si Substrates Grown by MOVPE
Niraula Madan
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Yasuda Kazuhito
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Tsubota Shintaro
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Yamaguchi Taiki
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Ozawa Junya
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Mori Takuro
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
,
Agata Yasunori
(Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 66 号： 1 ページ： 518-523 発行年： 2019年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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