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文献
J-GLOBAL ID：201902236998326809
整理番号：19A1625502
パルスレーザ蒸着により成長させた炭化けい素薄膜のレーザ支援ドーピング【JST・京大機械翻訳】
Laser Assisted Doping of Silicon Carbide Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition
Paneerselvam Emmanuel
(Department of Engineering Design, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India)
,
Lakshmi Narayanan Vinoth Kumar
(Department of Engineering Design, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India)
,
Vasa Nilesh J.
(Department of Engineering Design, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India)
,
Higashihata Mitsuhiro
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Nakamura Daisuke
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Ikenoue Hiroshi
(Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
,
Ramachandra Rao M. S.
(Department of Physics, Nano Functional Materials Technology Centre and Materials Science Research Centre, Indian Institute of Technology Madras, Chennai, India)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 48 号： 6 ページ： 3468-3478 発行年： 2019年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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