文献
J-GLOBAL ID:201902238177690182
整理番号:19A1873496
n-GaNのための酸化物形成二段階ウェットエッチングプロセスの提案
Proposal of oxide-formed two-step wet etching process for n-GaN
著者 (4件):
KIYOTO Yasuharu
(Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN)
,
MAKIE Tetsuo
(Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN)
,
FUJIOKA Hiroshi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
MAEDA Narihiko
(Tokyo Univ. Technol., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SC
ページ:
SCCD18.1-SCCD18.7
発行年:
2019年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)