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文献
J-GLOBAL ID：201902238892028562
整理番号：19A0511992
0.1から1MA/μm2までの臨界電流密度を持つ非シャントおよび抵抗分路Nb/AlOx-Al/Nb Josephson接合の特性【JST・京大機械翻訳】
Properties of Unshunted and Resistively Shunted Nb/AlOx-Al/Nb Josephson Junctions With Critical Current Densities From 0.1 to 1 mA/μm2
Tolpygo Sergey K.
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
,
Bolkhovsky Vladimir
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
,
Zarr Scott
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
,
Weir T. J.
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
,
Wynn Alex
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
,
Day Alexandra L.
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
,
Johnson L. M.
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
,
Gouker M. A.
(Lincoln Laboratory, Massachusetts Institute of Technology, Lexington, MA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Applied Superconductivity
(IEEE Transactions on Applied Superconductivity)
巻： 27 号： 4 ページ： ROMBUNNO.1100815.1-15 発行年： 2017年
JST資料番号： W0177A ISSN： 1051-8223 CODEN： ITASE9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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