文献
J-GLOBAL ID:201902239258820118
整理番号:19A2114849
シリコン上に完全に集積した超低雑音広可変同調半導体レーザ【JST・京大機械翻訳】
Ultra-low Noise Widely-Tunable Semiconductor Lasers Fully Integrated on Silicon
著者 (9件):
Tran M. A.
(University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
,
Huang D.
(University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
,
Guo J.
(University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
,
Peters J.
(University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
,
Komljenovic T.
(University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
,
Morton P. A.
(Morton Photonics Inc, West Friendship, MD, 21794, USA)
,
Khurgin J. B
(Morton Photonics Inc, West Friendship, MD, 21794, USA)
,
Morton C. D.
(Morton Photonics Inc, West Friendship, MD, 21794, USA)
,
Bowers J. E.
(University of California, Santa Barbara, CA, 93106, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2019
号:
CSW
ページ:
1-2
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)