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文献
J-GLOBAL ID:201902239633759403   整理番号:19A2619237

窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性

著者 (12件):
松本翼
(金沢大)
桜井海匡
(金沢大)
山河智哉
(金沢大)
加藤宙光
(産業技術総合研)
牧野俊晴
(産業技術総合研)
小倉政彦
(産業技術総合研)
竹内大輔
(産業技術総合研)
山崎聡
(金沢大)
山崎聡
(産業技術総合研)
猪熊孝夫
(金沢大)
徳田規夫
(金沢大)
徳田規夫
(産業技術総合研)

資料名:
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

巻: 80th  ページ: ROMBUNNO.20a-E312-4  発行年: 2019年09月04日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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