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文献
J-GLOBAL ID：201902239656647473
整理番号：19A1415426
埋め込み酸化AlAs犠牲層を有するリン化物ベースのエピタキシャル構造の構造解析【JST・京大機械翻訳】
Structural analysis of a phosphide-based epitaxial structure with a buried oxidized AlAs sacrificial layer
Englhard M.
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany)
,
Reuters B.
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany)
,
Baur J.
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany)
,
Klemp C.
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany)
,
Zaumseil P.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Schroeder T.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Skibitzki O.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 21 ページ： 215303-215303-7 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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