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文献
J-GLOBAL ID：201902239910425140
整理番号：19A1328649
Al2O3/4H-SiC構造のSi酸化物中間層に存在する炭素が酸素ラジカル処理による界面反応に及ぼす影響
Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment
DOI Takuma
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
DOI Takuma
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Nagoya, JPN)
,
TAKEUCHI Wakana
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEUCHI Wakana
(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)
,
SHIBAYAMA Shigehisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAKASHITA Mitsuo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAOKA Noriyuki
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Nagoya, JPN)
,
NAKATSUKA Osamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 58 号： SB ページ： SBBD05.1-SBBD05.5 発行年： 2019年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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