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文献
J-GLOBAL ID：201902240590188332
整理番号：19A0182854
金属支援化学エッチングによる多孔質シリコンおよびシリコンナノワイヤーへのシリコンのエンジニアリング: 形態制御および機構に対するAgサイズおよびElectron捕捉速度の役割【JST・京大機械翻訳】
Engineering Silicon to Porous Silicon and Silicon Nanowires by Metal-Assisted Chemical Etching: Role of Ag Size and Electron-Scavenging Rate on Morphology Control and Mechanism
Rajkumar Kanakaraj
(Department of Physics, Advanced Materials and Devices Laboratory (AMDL), Bharathiar University)
,
Pandian Ramanathaswamy
(Materials Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, Tamil Nadu, India)
,
Sankarakumar Amirthapandian
(Materials Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, Tamil Nadu, India)
,
Rajendra Kumar Ramasamy Thangavelu
(Department of Nanoscience and Technology, Bharathiar University)
,
Rajendra Kumar Ramasamy Thangavelu
(DRDO-BU-CLS, Bharathiar University)
資料名：
ACS Omega
(ACS Omega)
巻： 2 号： 8 ページ： 4540-4547 発行年： 2017年
JST資料番号： W5044A ISSN： 2470-1343 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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