文献
J-GLOBAL ID:201902240682360159
整理番号:19A0307680
新しい低損傷MTJ積分プロセスを用いた耐久性>1010と10yrs保持@85°Cを持つ14ns書込み速度128Mb密度埋め込みSTT-MRAM【JST・京大機械翻訳】
14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>1010 and 10yrs retention@85°C using novel low damage MTJ integration process
著者 (20件):
Sato H.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Honjo H.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Watanabe T.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Niwa M.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Koike H.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Miura S.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Saito T.
(Graduate School of Engineering, Tohoku Univ.)
,
Inoue H.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Nasuno T.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Tanigawa T.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Noguchi Y.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Yoshiduka T.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Yasuhira M.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Ikeda S.
(CIES, Tohoku University, Japan)
,
Kang S.- Y.
(Tokyo Electron Ltd.)
,
Kubo T.
(Tokyo Electron Ltd.)
,
Yamashita K.
(Tokyo Electron Ltd.)
,
Yagi Y.
(Tokyo Electron Ltd.)
,
Tamura R.
(Advantest corp.)
,
Endoh T.
(CIES, Tohoku University, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
IEDM
ページ:
27.2.1-27.2.4
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)