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J-GLOBAL ID:201902240794870306   整理番号:19A0626053

InP基板上のII-VI化合物半導体光学素子のn側構造の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of the n-side structures of II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates
著者 (3件):
Ishii Kenta
(Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan)
Amagasu Ryosuke
(Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan)
Nomura Ichirou
(Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 512  ページ: 96-99  発行年: 2019年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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