文献
J-GLOBAL ID:201902240794870306
整理番号:19A0626053
InP基板上のII-VI化合物半導体光学素子のn側構造の研究【JST・京大機械翻訳】
Investigation of the n-side structures of II-VI compound semiconductor optical devices on InP substrates
著者 (3件):
Ishii Kenta
(Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan)
,
Amagasu Ryosuke
(Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan)
,
Nomura Ichirou
(Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University, Japan)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
512
ページ:
96-99
発行年:
2019年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)