文献
J-GLOBAL ID:201902241230443100
整理番号:19A0525086
Si IGBTとSiC MOSFETを用いた3レベル2段減結合アクティブNPCコンバータ【JST・京大機械翻訳】
Three-level two-stage decoupled active NPC converter with Si IGBT and SiC MOSFET
著者 (3件):
Zhang Di
(Electric Power Organization, GE Global Research Niskayuna, New York, 12309)
,
He Jiangbiao
(Electric Power Organization, GE Global Research Niskayuna, New York, 12309)
,
Madhusoodhanan Sachin
(Electric Power Organization, GE Global Research Niskayuna, New York, 12309)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ECCE
ページ:
5671-5678
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)