文献
J-GLOBAL ID:201902241546278148
整理番号:19A1406443
強化された耐光腐食性と光触媒特性のためのグラフェン-ドラップド半導体【JST・京大機械翻訳】
Graphene-Draped Semiconductors for Enhanced Photocorrosion Resistance and Photocatalytic Properties
著者 (7件):
Wang Mengye
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University)
,
Cai Lejuan
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University)
,
Wang Yi
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University)
,
Zhou Feichi
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University)
,
Xu Kang
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University)
,
Tao Xiaoming
(Institute of Textiles & Clothing, The Hong Kong Polytechnic University)
,
Chai Yang
(Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University)
資料名:
Journal of the American Chemical Society
(Journal of the American Chemical Society)
巻:
139
号:
11
ページ:
4144-4151
発行年:
2017年03月22日
JST資料番号:
C0254A
ISSN:
0002-7863
CODEN:
JACSAT
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)