文献
J-GLOBAL ID:201902242062644103
整理番号:19A0524460
パワーMOSFETターンオンスイッチング速度限界における寄生容量の役割:SiC事例研究【JST・京大機械翻訳】
Role of parasitic capacitances in power MOSFET turn-on switching speed limits: A SiC case study
著者 (4件):
Cittanti Davide
(Department of Energy, Politecnico di Torino, Turin, Italy)
,
Iannuzzo Francesco
(Department of Energy Technology, Aalborg University, Aalborg, Denmark)
,
Hoene Eckart
(Fraunhofer IZM, Berlin, Germany)
,
Klein Kirill
(Fraunhofer IZM, Berlin, Germany)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ECCE
ページ:
1387-1394
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)