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文献
J-GLOBAL ID：201902242323103998
整理番号：19A1827329
テラビットスケール高密度応用のためのAgイオンメモリセル技術【JST・京大機械翻訳】
Ag Ionic Memory Cell Technology for Terabit-Scale High-DensityApplication
Fujii Shosuke
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Ichihara Reika
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Konno Takuya
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Yamaguchi Marina
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Seki Harumi
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Tanaka Hiroki
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Zhao Dandan
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Yoshimura Yoko
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Saitoh Masumi
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
,
Koyama Masato
(Toshiba Memory Corporation, Institute of Memory Technology R&D, Yokkaichi, Japan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2019 号： VLSI Circuits ページ： T188-T189 発行年： 2019年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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