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文献
J-GLOBAL ID:201902242529600776   整理番号:19A1519215

高逆バイアス電圧下の4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果によるフォノン支援光吸収

Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage
著者 (6件):
MAEDA Takuya
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
CHI Xilun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
HORITA Masahiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
SUDA Jun
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻: 11  号:ページ: 091302.1-091302.4  発行年: 2018年09月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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