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文献
J-GLOBAL ID：201902242529600776
整理番号：19A1519215
高逆バイアス電圧下の4H-SiC p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果によるフォノン支援光吸収
Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage
MAEDA Takuya
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
CHI Xilun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HORITA Masahiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SUDA Jun
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KIMOTO Tsunenobu
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 11 号： 9 ページ： 091302.1-091302.4 発行年： 2018年09月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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