文献
J-GLOBAL ID:201902242660096270
整理番号:19A1888714
合成スメクタイト中のセシウムの固定に及ぼす四面体層電荷の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Tetrahedral Layer Charge on the Fixation of Cesium in Synthetic Smectite
著者 (8件):
Dzene Liva
(Universite de Poitiers/CNRS, UMR 7285 IC2MP, Equipe HydrASA, France)
,
Verron Heloiese
(Universite de Poitiers/CNRS, UMR 7285 IC2MP, Equipe HydrASA, France)
,
Delville Alfred
(Interfaces, Confinement, Materiaux et Nanostructures-ICMN CNRS, UMR 7374, Universite d’Orleans, France)
,
Michot Laurent J.
(Phenix CNRS-UPMC-Sorbonne Universite UMR 8234, France)
,
Robert Jean-Louis
(IMPMC, Sorbonne Universites, UMR 7590, UPMC, CNRS, MNHN, IRD, France)
,
Tertre Emmanuel
(Universite de Poitiers/CNRS, UMR 7285 IC2MP, Equipe HydrASA, France)
,
Hubert Fabien
(Universite de Poitiers/CNRS, UMR 7285 IC2MP, Equipe HydrASA, France)
,
Ferrage Eric
(Universite de Poitiers/CNRS, UMR 7285 IC2MP, Equipe HydrASA, France)
資料名:
Journal of Physical Chemistry C
(Journal of Physical Chemistry C)
巻:
121
号:
42
ページ:
23422-23435
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1877A
ISSN:
1932-7447
CODEN:
JPCCCK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)