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文献
J-GLOBAL ID:201902242666899875   整理番号:19A1616983

高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト

Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation
著者 (7件):
JEON Jihee
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
SUZUKI Akihiro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
SUZUKI Akihiro
(SUMCO corp., Imari, JPN)
SHIBAYAMA Shigehisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
ZAIMA Shigeaki
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
NAKATSUKA Osamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 119  号: 96(SDM2019 25-35)  ページ: 5-9  発行年: 2019年06月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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