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文献
J-GLOBAL ID：201902242666899875
整理番号：19A1616983
高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト
Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation
JEON Jihee
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SUZUKI Akihiro
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SUZUKI Akihiro
(SUMCO corp., Imari, JPN)
,
SHIBAYAMA Shigehisa
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA Shigeaki
(Meijo Univ., Nagoya, JPN)
,
NAKATSUKA Osamu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119 号： 96(SDM2019 25-35) ページ： 5-9 発行年： 2019年06月14日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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