文献
J-GLOBAL ID:201902245008092399
整理番号:19A1328656
Snドープβ-(AlGa)2O3(010)を用いた横電界効果トランジスタの実証
Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3(010)
著者 (5件):
OKUMURA Hironori
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
OKUMURA Hironori
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
,
KATO Yuji
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
OSHIMA Takayoshi
(Saga Univ., Saga, JPN)
,
PALACIOS Tomas
(Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
58
号:
SB
ページ:
SBBD12.1-SBBD12.5
発行年:
2019年04月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)