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文献
J-GLOBAL ID：201902245009377526
整理番号：19A2501618
MOS_2薄膜トランジスタの電気安定性に及ぼす厚み依存構造欠陥の影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of thickness-dependent structural defects on electrical stability of MoS2 thin film transistors
Park Ji-In
(Center for Research Equipment, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, Republic of Korea)
,
Park Ji-In
(Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea)
,
Jang Yujin
(Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea)
,
Bae Jong-Seong
(Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea)
,
Yoon Jang-Hee
(Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea)
,
Lee Hyun Uk
(Advanced Nano-surface Research Group, Korea Basic Science Institute, Daejeon, 34133, Republic of Korea)
,
Wakayama Yutaka
(International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan)
,
Kim Jong-Pil
(Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea)
,
Jeong Yesul
(Busan Center, Korea Basic Science Institute, Busan, 46241, Republic of Korea)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 814 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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