文献
J-GLOBAL ID:201902245199966157
整理番号:19A1414177
異なる外部損失を持つInAs/InGaAs量子ドットレーザにおける多状態レーザ発振に対する変調pドーピング準位の効果【JST・京大機械翻訳】
Effect of modulation p-doping level on multi-state lasing in InAs/InGaAs quantum dot lasers having different external loss
著者 (7件):
Korenev V. V.
(Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation)
,
Savelyev A. V.
(Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation)
,
Maximov M. V.
(Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation)
,
Zubov F. I.
(Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation)
,
Shernyakov Yu. M.
(Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation)
,
Kulagina M. M.
(Ioffe Institute, St Petersburg 194021, Russian Federation)
,
Zhukov A. E.
(Nanophotonics Lab, St Petersburg Academic University, St Petersburg 194021, Russian Federation)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
111
号:
13
ページ:
132103-132103-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)