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文献
J-GLOBAL ID：201902245220675885
整理番号：19A2367704
超電磁安定性のためのオールアラウンドOLEDゲートを持つ高性能垂直共鳴光効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】
High Performance Vertical Resonant Photo-Effect-Transistor with an All-Around OLED-Gate for Ultra-Electromagnetic Stability
Li Qikun
(Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of the Ministry of Education, Dalian University of Technology, China)
,
Li Qikun
(Institute of Photoelectric Nanoscience and Nanotechnology, School of Mechanical Engineering, Dalian University of Technology, China)
,
Bi Sheng
(Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of the Ministry of Education, Dalian University of Technology, China)
,
Bi Sheng
(Institute of Photoelectric Nanoscience and Nanotechnology, School of Mechanical Engineering, Dalian University of Technology, China)
,
Asare-Yeboah Kyeiwaa
(Department of Electrical and Computer Engineering, Penn State Behrend, Pennsylvania, United States)
,
Na Jin
(Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of the Ministry of Education, Dalian University of Technology, China)
,
Liu Yun
(Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, Maryland, United States)
,
Jiang Chengming
(Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of the Ministry of Education, Dalian University of Technology, China)
,
Jiang Chengming
(Institute of Photoelectric Nanoscience and Nanotechnology, School of Mechanical Engineering, Dalian University of Technology, China)
,
Song Jinhui
(Key Laboratory for Precision and Non-traditional Machining Technology of the Ministry of Education, Dalian University of Technology, China)
,
Song Jinhui
(Institute of Photoelectric Nanoscience and Nanotechnology, School of Mechanical Engineering, Dalian University of Technology, China)
資料名：
ACS Nano
(ACS Nano)
巻： 13 号： 7 ページ： 8425-8432 発行年： 2019年
JST資料番号： W2326A ISSN： 1936-0851 CODEN： ANCAC3 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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