文献
J-GLOBAL ID:201902245413428170
整理番号:19A0306462
低電力深層学習のためのMSBベース反転論理を用いた28nm FD-SOIデュアルポートSRAM【JST・京大機械翻訳】
28-nm FD-SOI Dual-Port SRAM with MSB-Based Inversion Logic for Low-Power Deep Learning
著者 (4件):
Mori Haruki
(Graduate School of Kobe University, Hyogo, Japan)
,
Izumi Shintaro
(Graduate School of Kobe University, Hyogo, Japan)
,
Kawaguchi Hiroshi
(Graduate School of Kobe University, Hyogo, Japan)
,
Yoshimoto Masahiko
(Graduate School of Kobe University, Hyogo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2018
号:
ICECS
ページ:
161-164
発行年:
2018年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)