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文献
J-GLOBAL ID：201902245445643252
整理番号：19A1409958
スパッタされた新規前駆体のセレン化により調製した深さ勾配組成を持つCu_2SnSe_4薄膜太陽電池【JST・京大機械翻訳】
Cu2ZnSnSe4 Thin Film Solar Cell with Depth Gradient Composition Prepared by Selenization of Sputtered Novel Precursors
Lai Fang-I
(Department of Photonics Engineering, Yuan-Ze University, Taiwan)
,
Yang Jui-Fu
(Department of Photonics Engineering, Yuan-Ze University, Taiwan)
,
Yang Jui-Fu
(Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taiwan)
,
Chen Wei-Chun
(Instrument Technology Research Center, National Applied Research Laboratories, Taiwan)
,
Kuo Shou-Yi
(Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, Taiwan)
,
Kuo Shou-Yi
(Department of Nuclear Medicine, Chang Gung Memorial Hospital, Linkou, Taiwan)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 46 ページ： 40224-40234 発行年： 2017年11月22日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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