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文献
J-GLOBAL ID：201902246600206572
整理番号：19A1714537
二次元[数式:原文を参照]における大きな異常Hall伝導率を持つ歪誘起室温強磁性半導体【JST・京大機械翻訳】
Strain-Induced Room-Temperature Ferromagnetic Semiconductors with Large Anomalous Hall Conductivity in Two-Dimensional [Formula : see text]
Dong Xue-Juan
(School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, China)
,
You Jing-Yang
(School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, China)
,
Gu Bo
(Kavli Institute for Theoretical Sciences, and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, 100190 Beijing, China)
,
Gu Bo
(Physical Science Laboratory, Huairou National Comprehensive Science Center, 101400 Beijing, China)
,
Su Gang
(School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, 100049 Beijing, China)
,
Su Gang
(Kavli Institute for Theoretical Sciences, and CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation, University of Chinese Academy of Sciences, 100190 Beijing, China)
,
Su Gang
(Physical Science Laboratory, Huairou National Comprehensive Science Center, 101400 Beijing, China)
資料名：
Physical Review Applied
(Physical Review Applied)
巻： 12 号： 1 ページ： 014020 発行年： 2019年
JST資料番号： W3691A ISSN： 2331-7019 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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