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文献
J-GLOBAL ID：201902246734519008
整理番号：19A2695751
窒化チタンとTaNの下層特性の研究とW成長に及ぼすそれらの影響【JST・京大機械翻訳】
Study of TiN and TaN Underlayer Properties and Their Influence on W Growth
Pancharatnam S.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Rodriguez G.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Wang W.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Karve G.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Wynne J.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Mendoza B.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
DeVries S.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Pujari R. N.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Breton M.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
Carr A.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
,
White L.
(IBM Research, Albany, NY, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
(IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 32 号： 4 ページ： 374-380 発行年： 2019年
JST資料番号： T0521A ISSN： 0894-6507 CODEN： ITSMED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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