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文献
J-GLOBAL ID：201902247259667800
整理番号：19A1416450
アニーリング中の高窒素ドープ4H-SiC中に形成された二重層Shockley積層欠陥の構造解析【JST・京大機械翻訳】
Structural analysis of double-layer Shockley stacking faults formed in heavily-nitrogen-doped 4H-SiC during annealing
Tokuda Y.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
,
Yamashita T.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
,
Kamata I.
(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
,
Naijo T.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
,
Miyazawa T.
(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
,
Hayashi S.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
,
Hoshino N.
(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
,
Kato T.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
,
Okumura H.
(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan)
,
Kimoto T.
(Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan)
,
Tsuchida H.
(Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI), 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, Japan)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 122 号： 4 ページ： 045707-045707-13 発行年： 2017年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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