文献
J-GLOBAL ID:201902247763115086
整理番号:19A1785051
グラフェン/MTe(M=Al,B)ヘテロ構造の電子構造に対する面外歪と電場の効果【JST・京大機械翻訳】
Effects of out-of-plane strains and electric fields on the electronic structures of graphene/MTe (M = Al, B) heterostructures
著者 (5件):
Zhang Dingbo
(School of Physical Science and Technology, Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China. 741220395@qq.com)
,
Hu Yue
,
Zhong Hongxia
,
Yuan Shengjun
,
Liu Chang
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
11
号:
29
ページ:
13800-13806
発行年:
2019年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)