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文献
J-GLOBAL ID：201902248410452879
整理番号：19A1413717
分子ビームエピタクシー成長β-Ga_2O_3金属半導体金属太陽ブラインド深紫外検出器における高応答性【JST・京大機械翻訳】
High responsivity in molecular beam epitaxy grown β-Ga2O3 metal semiconductor metal solar blind deep-UV photodetector
Singh Pratiyush Anamika
(Centre for Nano Science and Engineering (CeNSE), Indian Institute of Science (IISc), Bangalore 560012, India)
,
Krishnamoorthy Sriram
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio, 43210, USA)
,
Vishnu Solanke Swanand
(Centre for Nano Science and Engineering (CeNSE), Indian Institute of Science (IISc), Bangalore 560012, India)
,
Xia Zhanbo
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio, 43210, USA)
,
Muralidharan Rangarajan
(Centre for Nano Science and Engineering (CeNSE), Indian Institute of Science (IISc), Bangalore 560012, India)
,
Rajan Siddharth
(Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio, 43210, USA)
,
Nath Digbijoy N.
(Centre for Nano Science and Engineering (CeNSE), Indian Institute of Science (IISc), Bangalore 560012, India)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 22 ページ： 221107-221107-5 発行年： 2017年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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